台灣新聞通訊社-中山大學獨創「超臨界流體技術」 獲日本半導體商投資

中山大學物理系講座教授張鼎張獨創「超臨界流體低溫缺陷鈍化技術」。圖/中山大學提供

中山大學物理系講座教授張鼎張獨創「超臨界流體低溫缺陷鈍化技術」,師生團隊成立奈盾科技(Naidun-tech)公司,助攻半導體新技術突破良率瓶頸,獲得科技部價創計畫補助,更吸引日本第一大半導體設備商東京威力與台灣友達青睞,成為東京威力在台灣投資的新創公司。

張鼎張表示,「超臨界流體」是一種物質狀態,一般固體吸熱變液體,液體加熱變氣體,氣體再加壓超過臨界溫度及臨界壓力,物質將兼具液體與氣體的特性,就是超臨界流體。超臨界流體有較好的滲透性和較強的溶解力,廣泛應用於萃取技術,將其作為萃取劑,將原料中某些成分析出,常見包括萃取咖啡因,製造保養品、營養補充品與清潔劑等。

「但我們團隊則反其道而行,利用超臨界流體導入新物質。」張鼎張強調,在半導體尺寸微縮的趨勢下,長完膜、蝕刻後,可能會有很多缺陷,舊有技術無法提供好的解決方案,超臨界流體既像氣體又像液體,具高反應性、高滲透性、低表面張力等三大優勢,運用在電子元件上可有效消除缺陷,讓元件性能與可靠度大幅提升。

張鼎張說明,好的3C產品有賴其電子元件性能與可靠度,然而元件產製過程會產生劣化效應,不同材料疊加界面處易產生懸鍵,即內部缺陷。如Micro LED側壁容易有很多缺陷,影響發光效率,若能妥善消除缺陷,就能讓效率提升。

為了鈍化缺陷,常見手法是透過高溫活化,但元件加入金屬後,溫度最高僅能承受400度,傳統鈍化的高溫動輒800度,有材料使用上的侷限,也沒辦法做到深入的修復。而超臨界流體低溫缺陷鈍化技術很特別,一般高溫的製程只要200度到300度間就可以做到,透過這項技術可修補半導體材料內的斷鍵,讓不好的元件回到正常特性。

中山大學物理系講座教授張鼎張(中)獨創「超臨界流體低溫缺陷鈍化技術」,師生團隊成立奈盾科技,助攻半導體新技術突破良率瓶頸。圖/中山大學提供

中山大學物理系講座教授張鼎張(中)獨創「超臨界流體低溫缺陷鈍化技術」,師生團隊成立奈盾科技,助攻半導體新技術突破良率瓶頸。圖/中山大學提供

2022/05/05 10:49 轉載自聯合新聞網